A fabricante chinesa CXMT anunciou a G5, sua 5ª geração de memórias DRAM. A empresa afirma que a tecnologia coloca os chips na classe de litografia em 12nm e permite capacidades até 50% maiores por die em comparação com a geração anterior.
A CXMT usa processos próprios de fabricação, diferentes dos adotados por empresas como Samsung e SK hynix. Por isso, a companhia afirma que uma comparação direta entre as litografias não é adequada.
Capacitores mais profundos
Na G5, os capacitores de armazenamento têm proporção de 45:1 entre profundidade e largura. Na prática, eles são 45 vezes mais profundos do que largos. Segundo a CXMT, esse formato reduz a área ocupada por cada célula de DRAM e abre espaço para chips com maior capacidade.
A nova tecnologia estreia em módulos LPDDR5X de 24Gb. A empresa informa que esses serão os primeiros produtos fabricados em massa com a G5.
Os chips terão dois formatos de encapsulamento, segundo a fabricante. A estratégia busca atender a diferentes tipos de dispositivos móveis, sem limitar o uso a smartphones e tablets. As memórias LPDDR5X produzidas com a G5 já estariam chegando a celulares chineses de alto padrão atuais.
A CXMT ainda não informou o rendimento da produção da DRAM com a nova tecnologia. A fabricante registrou forte crescimento depois de se tornar uma das poucas empresas com estoque disponível de memórias, enquanto o mercado global enfrenta escassez de componentes associada à corrida da inteligência artificial generativa.
